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产品简介:
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SGS13N60UFDTU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 UGBT(超结沟槽 MOSFET)系列。它是一款单通道的 N 沟道增强型 MOSFET,具有以下主要特点和应用场景: 主要特点: 1. 高电压耐受能力:该器件支持高达 600V 的漏源极击穿电压 (Vds),适合高压环境下的应用。 2. 低导通电阻:其导通电阻 (Rds(on)) 较低,典型值为 1.3Ω(在 Vgs=10V 时),能够减少功率损耗,提高效率。 3. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss),可实现更快的开关速度,适用于高频应用。 4. 高电流能力:持续漏极电流 (Id) 最大可达 5A(在 25°C 下),支持较高负载需求。 5. 封装形式:采用 D2PAK 封装(TO-263),散热性能良好,适合需要高效散热的应用场景。 应用场景: 1. 开关电源 (SMPS):SGS13N60UFDTU 的高电压和低导通电阻特性使其非常适合用于开关电源中的功率转换电路,如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动:可用于控制小型直流电机或步进电机,特别是在需要高效能和快速响应的场合。 3. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,该 MOSFET 可用于功率级开关,将直流电转换为交流电。 4. 不间断电源 (UPS):作为关键的功率开关元件,用于电池充放电管理和电压转换。 5. 工业自动化设备:例如伺服驱动器、PLC(可编程逻辑控制器)等,需要高性能功率开关的场合。 6. 电动车充电器:支持高效的功率转换,适用于电动车充电设备中的电源管理部分。 7. 家电产品:如空调、冰箱等需要功率调节的家电中,可以用作功率开关或负载控制元件。 总之,SGS13N60UFDTU 凭借其高电压、低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的领域,尤其是在高压、高频和高电流条件下表现优异。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 20ns/70ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 52A |
描述 | IGBT 600V 13A 45W TO220F |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 25nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SGS13N60UFDTU |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 85µJ (开), 95µJ (关) |
TestCondition | 300V, 6.5A, 50 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.6V @ 15V,6.5A |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 45W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 55ns |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 13A |
输入类型 | 标准 |