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BZX84B11-7-F产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84B11-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84B11-7-F价格参考。Diodes Inc.BZX84B11-7-F封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 11V 300mW ±2% Surface Mount SOT-23。您可以下载BZX84B11-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84B11-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84B11-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管系列。其典型应用场景包括电压稳压、过压保护和信号电平调整等。以下是该型号的一些主要应用场景: 1. 电压稳压 - BZX84B11-7-F 的齐纳电压为 11V,在电路中可以用作简单的稳压器,为低功率电路提供稳定的参考电压。例如在电源电路中,用于稳定某些关键部分的电压,确保负载设备正常工作。 2. 过压保护 - 该齐纳二极管可以用来保护敏感电子元件免受瞬态高电压的影响。当输入电压超过齐纳电压时,二极管会导通并将电压钳位到齐纳电压值,从而保护后续电路。 3. 信号电平调整 - 在信号处理电路中,BZX84B11-7-F 可以用于限制信号幅度或调整信号电平。例如,在音频或通信电路中,它可以防止信号幅度过大导致失真或损坏。 4. 基准电压源 - 齐纳二极管可以作为基准电压源,为比较器、运算放大器或其他模拟电路提供稳定的参考电压。 5. 电源监控 - 在一些低功耗系统中,BZX84B11-7-F 可用于监控电源电压。当电源电压低于或高于设定值时,齐纳二极管的状态变化可以触发报警或保护机制。 特性优势: - 小封装:采用 SOD-323 封装,适合空间受限的应用。 - 低功率:最大耗散功率为 500mW(@Tamb = 25°C),适用于小型化、低功耗设计。 - 高精度:齐纳电压精度较高,能够满足大多数常规应用需求。 总之,BZX84B11-7-F 适用于需要简单电压控制或保护功能的场景,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 11V 300MW SOT23稳压二极管 350mW SMT PREC ZENER DIODE 3-39V |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZX84B11-7-F- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZX84B11-7-F |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
| 产品 | Precision Zener Diode |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | BZX84B11-FDIDKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 最大反向漏泄电流 | 0.1 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 20 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.9 V |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 11V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 9 mV/K |
| 系列 | BZX84B |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 20 欧姆 |
| 齐纳电压 | 11 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |