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产品简介:
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Renesas Electronics America的型号RJH1CV7DPK-00#T0属于晶体管中的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)或MOSFET类别,常用于高功率开关应用。该器件适用于需要高效能与高可靠性的电力电子系统中,如工业电机驱动、电源转换系统、可再生能源逆变器(如太阳能逆变器)以及电动车充电设备等场景。此外,它也可用于家电中的变频控制模块,如变频空调和洗衣机,以实现节能与精确控制。其高耐压、低导通压降与快速开关特性,使其在高频开关电源和DC-AC转换器中表现出色。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 53ns/185ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
描述 | IGBT 1200V 70A 320W TO-3P |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 166nC |
IGBT类型 | 沟道 |
品牌 | Renesas Electronics America |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | RJH1CV7DPK-00#T0 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 3.2mJ (开), 2.5mJ (关) |
TestCondition | 600V, 35A, 5 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V,35A |
供应商器件封装 | TO-3P |
其它名称 | RJH1CV7DPK00T0 |
功率-最大值 | 320W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 200ns |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 100 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 70A |
输入类型 | 标准 |