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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH20N60SFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH20N60SFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGH20N60SFDTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGH20N60SFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH20N60SFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的FGH20N60SFDTU是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(超结功率MOSFET)类别,具有以下典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - FGH20N60SFDTU适用于各种开关电源设计,例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。 - 其高电压耐受能力(600V)和低导通电阻(Rds(on))特性使其适合在高频开关条件下工作,能够高效地控制电流流动。 2. 电机驱动 - 用于无刷直流电机(BLDC)或步进电机的驱动电路中,作为功率开关元件。 - 能够承受电机启动和运行时的高电压尖峰,并提供稳定的电流输出。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或UPS(不间断电源)系统中,该MOSFET可用作功率开关,将直流电转换为交流电。 - 其快速开关速度和低损耗特性有助于提高逆变器的效率。 4. 负载切换 - 用于工业设备或消费电子中的负载切换应用,例如LED驱动、加热器控制等。 - 提供可靠的开/关功能,同时减少能量损耗。 5. 电磁阀控制 - 在工业自动化领域,FGH20N60SFDTU可用于控制电磁阀的开启和关闭。 - 高压耐受能力使其能够适应复杂的电气环境。 6. PFC(功率因数校正)电路 - 在需要功率因数校正的应用中,这款MOSFET可以用作主开关器件,帮助改善系统的功率因数并降低谐波失真。 7. 电动车与电动工具 - 在电动车控制器或电动工具的电池管理系统(BMS)中,该MOSFET可以实现高效的电力传输和保护功能。 总结 FGH20N60SFDTU凭借其600V的击穿电压、低导通电阻以及优异的热性能,广泛应用于高功率、高频开关场景。它特别适合需要高效能量转换和可靠开关操作的场合,如开关电源、电机驱动、逆变器等。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 13ns/90ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 60A |
描述 | IGBT 600V 40A 165W TO247IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 65nC |
IGBT类型 | 场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH20N60SFDTU- |
数据手册 | |
产品型号 | FGH20N60SFDTU |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
SwitchingEnergy | 370µJ (开), 160µJ (关) |
TestCondition | 400V, 20A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V,20A |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247 |
功率-最大值 | 165W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.390 g |
反向恢复时间(trr) | 34ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247AB-3 |
工厂包装数量 | 150 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 40A |
系列 | FGH20N60 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极最大连续电流Ic | 40 A |