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  • 型号: FGH20N60SFDTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGH20N60SFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH20N60SFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGH20N60SFDTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGH20N60SFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH20N60SFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美半导体)的FGH20N60SFDTU是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(超结功率MOSFET)类别,具有以下典型应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - FGH20N60SFDTU适用于各种开关电源设计,例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。
   - 其高电压耐受能力(600V)和低导通电阻(Rds(on))特性使其适合在高频开关条件下工作,能够高效地控制电流流动。

 2. 电机驱动
   - 用于无刷直流电机(BLDC)或步进电机的驱动电路中,作为功率开关元件。
   - 能够承受电机启动和运行时的高电压尖峰,并提供稳定的电流输出。

 3. 逆变器
   - 在太阳能逆变器或UPS(不间断电源)系统中,该MOSFET可用作功率开关,将直流电转换为交流电。
   - 其快速开关速度和低损耗特性有助于提高逆变器的效率。

 4. 负载切换
   - 用于工业设备或消费电子中的负载切换应用,例如LED驱动、加热器控制等。
   - 提供可靠的开/关功能,同时减少能量损耗。

 5. 电磁阀控制
   - 在工业自动化领域,FGH20N60SFDTU可用于控制电磁阀的开启和关闭。
   - 高压耐受能力使其能够适应复杂的电气环境。

 6. PFC(功率因数校正)电路
   - 在需要功率因数校正的应用中,这款MOSFET可以用作主开关器件,帮助改善系统的功率因数并降低谐波失真。

 7. 电动车与电动工具
   - 在电动车控制器或电动工具的电池管理系统(BMS)中,该MOSFET可以实现高效的电力传输和保护功能。

 总结
FGH20N60SFDTU凭借其600V的击穿电压、低导通电阻以及优异的热性能,广泛应用于高功率、高频开关场景。它特别适合需要高效能量转换和可靠开关操作的场合,如开关电源、电机驱动、逆变器等。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

13ns/90ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

60A

描述

IGBT 600V 40A 165W TO247IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

65nC

IGBT类型

场截止

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH20N60SFDTU-

数据手册

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产品型号

FGH20N60SFDTU

PCN封装

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PCN组件/产地

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SwitchingEnergy

370µJ (开), 160µJ (关)

TestCondition

400V, 20A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.8V @ 15V,20A

产品目录页面

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产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247

功率-最大值

165W

包装

管件

单位重量

6.390 g

反向恢复时间(trr)

34ns

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247AB-3

工厂包装数量

150

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

40A

系列

FGH20N60

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极最大连续电流Ic

40 A

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