Datasheet下载- 型号： NGTB20N135IHRWG
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB20N135IHRWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB20N135IHRWG价格参考。ON SemiconductorNGTB20N135IHRWG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGTB20N135IHRWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB20N135IHRWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NGTB20N135IHRWG是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT分类下的单MOSFET产品。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关电源设计，如AC-DC适配器、充电器以及DC-DC转换器。其低导通电阻和高击穿电压特性使其能够高效处理电力转换中的开关操作。 2. 电机驱动：在工业自动化和消费电子领域中，这款MOSFET可用于控制小型到中型电机的启动、停止及速度调节。它适合用于无刷直流电机（BLDC）驱动器和其他电动工具应用。 3. 逆变器：无论是太阳能逆变器还是其他类型的电力逆变系统，NGTB20N135IHRWG都能提供可靠的性能，确保从直流到交流电的有效转换。 4. 负载切换与保护电路：在需要快速响应时间以保护下游组件免受过流或短路损害的情况下，此器件非常适用。例如，在汽车电子设备或家用电器中用作负载开关。 5. 脉宽调制（PWM）控制器：利用其高频工作能力，可以在音频放大器或其他需要精确输出信号的应用中实现高效的PWM控制。 6. 电池管理系统（BMS）：对于电动汽车、储能系统等复杂电池组管理方案而言，该MOSFET有助于优化充放电过程并监控电池状态。 7. 电信基础设施：基站、路由器及其他通信设备可能需要用到这种高性能MOSFET来维持稳定运行，特别是在功率分配和信号处理部分。 总之，NGTB20N135IHRWG凭借其出色的电气特性和坚固耐用的设计，广泛应用于各类需要高效功率转换和精确控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/245ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 1350V 40A 394W TO247IGBT 晶体管 1350V/20A IGBT FSII TO-24 |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 234nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB20N135IHRWG- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTB20N135IHRWG |
| SwitchingEnergy | 600µJ （关） |
| TestCondition | 600V，20A，10 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.65V @ 15V， 20A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | NGTB20N135IHRWGOS |
| 功率-最大值 | 394W |
| 功率耗散 | 394 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 40 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 25 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1350V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40A |
| 系列 | NGTB20N135IHR |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1350 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
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