ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IPT007N06NATMA1
Datasheet下载- 型号： IPT007N06NATMA1
- 制造商： Infineon
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPT007N06NATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPT007N06NATMA1价格参考。InfineonIPT007N06NATMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 300A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1。您可以下载IPT007N06NATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPT007N06NATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IPT007N06NATMA1 是一款 N 沟道功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该器件具有 60V 耐压、低导通电阻（典型值约 5.7mΩ）和高电流承载能力，采用先进的沟槽栅技术，具备优良的开关性能和热稳定性。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器中，适用于高效降压（Buck）和升压（Boost）拓扑结构，提升能效并减少能量损耗。 2. 电机驱动：在小型直流电机、步进电机及伺服系统中作为开关元件，用于工业自动化、电动工具和家用电器中的电机控制。 3. 电池供电设备：适用于便携式设备如电动自行车、移动电源、充电宝等，用于电池保护电路或负载开关，实现低功耗与高效率运行。 4. 照明系统：用于 LED 驱动电源，支持恒流调节和快速响应，提高照明系统的稳定性和寿命。 5. 消费电子与工业控制：如电源适配器、UPS 不间断电源、逆变器等，满足对高密度功率设计和散热性能要求较高的场合。 该 MOSFET 封装为 PG-TSDS-8，体积小巧，适合高密度 PCB 布局，同时具备良好的热性能，可在较宽温度范围内稳定工作，适用于对可靠性要求较高的中低电压功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPT007N06NATMA1 |
| rohs | 不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.3V @ 280µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 16000pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 216nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 0.75 毫欧 @ 150A， 10V |
| 供应商器件封装 | PG-HSOF-8-1 |
| 其它名称 | IPT007N06NATMA1DKR |
| 功率-最大值 | 375W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 300A （Tc） |
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