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  • 型号: VNS3NV04PTR-E
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VNS3NV04PTR-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VNS3NV04PTR-E价格参考。STMicroelectronicsVNS3NV04PTR-E封装/规格:PMIC - 配电开关,负载驱动器, 。您可以下载VNS3NV04PTR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VNS3NV04PTR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC MOSFET OMNIFET II 8-SOIC门驱动器 OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V

产品分类

PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关集成电路 - IC

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

电源管理 IC,门驱动器,STMicroelectronics VNS3NV04PTR-EOMNIFET II™, VIPower™

数据手册

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产品型号

VNS3NV04PTR-E

RdsOn-漏源导通电阻

120 mOhms

上升时间

250 ns

下降时间

250 ns

产品

MOSFET Gate Drivers

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26261

产品种类

门驱动器

供应商器件封装

8-SO

关闭

Yes

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1965/CL1969/SC1038/PF241447?referrer=70071840

包装

带卷 (TR)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

120 毫欧

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工作温度

-40°C ~ 150°C

工厂包装数量

2500

最大关闭延迟时间

1350 ns

最大功率耗散

8.3 W

最大工作温度

+ 150 C

最大开启延迟时间

300 ns

最小工作温度

- 40 C

标准包装

2,500

激励器数量

1 Driver

电压-电源

-

电流-峰值输出

5A

电流-输出/通道

3.5A

电源电流

100 uA

类型

Autoprotected Power MOSFET

系列

VNS3NV04P-E

输入类型

非反相

输出数

2

输出电流

5 A

输出端数量

1 Output

配置

Non-Inverting

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