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Datasheet下载- 型号： STGW60H65FB
- 制造商： STMicroelectronics
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STGW60H65FB产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW60H65FB由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW60H65FB价格参考。STMicroelectronicsSTGW60H65FB封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-247。您可以下载STGW60H65FB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGW60H65FB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的型号为 STGW60H65FB 的器件是一款集成了IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和反并联二极管的功率半导体器件，属于晶体管中的IGBT类别。它通常用于高功率、高电压的应用场景。 该器件的主要应用场景包括： 1. 工业电机驱动：适用于变频器和伺服驱动器中，用于控制交流电机的速度与转矩，具备高效能和高可靠性。 2. 可再生能源系统：如太阳能逆变器和风力发电变流器中，用于将直流电转换为交流电并网输出，其高耐压特性适合高压系统设计。 3. 电动汽车相关应用：可用于车载充电器（OBC）或电驱系统中，满足新能源汽车对高效率和高集成度的需求。 4. 家电领域：例如高端变频空调、电磁炉等产品中的功率控制模块，提供节能和小型化解决方案。 5. 电源设备：如不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）等，作为核心开关元件实现高效的能量转换。 综上，STGW60H65FB因其高耐压、低导通压降和良好热性能，广泛应用于需要高效功率转换与控制的各种工业及消费类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 51ns/160ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 240A |
| 描述 | IGBT 650V 80A 375W TO247IGBT 晶体管 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 306nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGW60H65FB- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGW60H65FB |
| SwitchingEnergy | 1.09mJ （开）， 626µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 60A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V，60A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-14037-5 |
| 功率-最大值 | 375W |
| 功率耗散 | 375 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/650-v-igbt-hb-series-transistors/52308 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | STGW60H65FB |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 60 A |
