Datasheet下载- 型号： HGTP7N60C3D
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP7N60C3D由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP7N60C3D价格参考。Fairchild SemiconductorHGTP7N60C3D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGTP7N60C3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP7N60C3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的HGTP7N60C3D是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超低功耗沟槽式MOSFET（ULGBT）系列，具有以下应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：该型号适用于各种开关电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其高电压耐受能力（600V）和低导通电阻特性，能够有效减少功率损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动：在工业控制和家电领域中，用于驱动小型直流电机或步进电机。其快速开关特性和良好的热性能，确保了电机运行的稳定性和高效性。 3. 逆变器：广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和其他需要电能转换的设备中。HGTP7N60C3D的高效率和可靠性使其成为这些应用的理想选择。 4. 电磁阀控制：可用于工业自动化系统中的电磁阀驱动，提供精确的电流控制和快速响应，确保系统的高效运行。 5. PFC电路（功率因数校正）：在需要功率因数校正的电路中，这款MOSFET可以有效地降低谐波失真，提高系统的整体效率。 6. 电池管理：适用于电动车、储能系统等电池管理单元，用于电池充放电控制和保护电路，确保电池的安全和长寿命。 HGTP7N60C3D凭借其出色的电气性能和稳定性，在上述场景中表现出色，适合需要高效率、低损耗和可靠性的电力电子应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 56A |
| 描述 | IGBT 600V 14A 60W TO220AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 23nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HGTP7N60C3D |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 165µJ （开）， 600µJ （关） |
| TestCondition | 480V， 7A， 50欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，7A |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 14A |
| 输入类型 | 标准 |
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