Datasheet下载- 型号： FGH25N120FTDS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH25N120FTDS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH25N120FTDS价格参考。Fairchild SemiconductorFGH25N120FTDS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGH25N120FTDS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGH25N120FTDS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGH25N120FTDS是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超高压功率MOSFET（UGBT）类别，具有以下关键参数：耐压1200V、连续漏极电流25A（在特定条件下）、低导通电阻和快速开关性能。这款器件适用于多种高电压、大功率的应用场景，以下是其主要应用领域： 1. 电机驱动：FGH25N120FTDS可用于工业电机驱动器中，用于控制电机的速度和方向。其高耐压和大电流能力使其适合驱动大功率电机。 2. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的电力转换设备中，该MOSFET可以用于DC-AC转换，将直流电转换为交流电以供家庭或电网使用。 3. 开关电源（SMPS）：在开关模式电源中，FGH25N120FTDS可以用作主开关元件，实现高效的电压转换和调节，适用于服务器电源、通信电源等高功率场合。 4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）：这款MOSFET可用于车载充电器、DC-DC转换器以及辅助系统的电源管理，支持高效能量转换和可靠运行。 5. 不间断电源（UPS）系统：在UPS中，FGH25N120FTDS可以用于电池充放电控制和逆变功能，确保在断电时提供稳定的备用电源。 6. 焊接设备：由于其高耐压特性和大电流承载能力，该器件非常适合用于焊接机中的功率输出级，提供稳定且可控的焊接电流。 7. 感应加热：FGH25N120FTDS可用于高频感应加热设备，如金属热处理或烹饪器具（如电磁炉），能够承受高电压和高频工作环境。 总之，FGH25N120FTDS凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于需要高电压、大电流和高效能的工业、能源和交通运输领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 26ns/151ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 75A |
| 描述 | IGBT 1200V 50A 313W TO247IGBT 晶体管 1200V 25A Field Stop Trench IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 169nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH25N120FTDS- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGH25N120FTDS |
| PCN封装 | |
| SwitchingEnergy | 1.42mJ （开）， 1.16mJ （关） |
| TestCondition | 600V，25A，10 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，25A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 313W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 反向恢复时间(trr) | 535ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 150 |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50A |
| 系列 | FGH25N120FTDS |
| 输入类型 | 标准 |
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