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- 型号： NGTB15N60S1EG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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NGTB15N60S1EG产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB15N60S1EG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB15N60S1EG价格参考。ON SemiconductorNGTB15N60S1EG封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220。您可以下载NGTB15N60S1EG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB15N60S1EG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 65ns/170ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 600V 30A 117W TO220-3IGBT 晶体管 15A 600V IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 88nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB15N60S1EG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTB15N60S1EG |
| SwitchingEnergy | 550µJ （开）， 350µJ （关） |
| TestCondition | 400V，15A，22 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.7V @ 15V，15A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | NGTB15N60S1EG-ND |
| 功率-最大值 | 117W |
| 功率耗散 | 47 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 270ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 30 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30A |
| 系列 | NGTB15N60S1 |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
