【未分类_NGTB30N120IHRWG】封装/厂家_NGTB30N120IHRWG中文资料_价格

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型号： NGTB30N120IHRWG
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB30N120IHRWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB30N120IHRWG价格参考￥15.58-￥15.58。ON SemiconductorNGTB30N120IHRWG封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NGTB30N120IHRWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB30N120IHRWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor（安森美半导体）的型号NGTB30N120IHRWG是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT，MOSFET - 单类别。该器件具有以下应用场景：

1. 开关电源 (SMPS)：  
   该MOSFET适用于各种开关电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器和逆变器。其高电压耐受能力（1200V）使其适合高压环境下的电源管理。

2. 电机驱动：  
   NGTB30N120IHRWG可用于工业电机控制和驱动系统中，特别是在需要高效功率切换的应用中，例如伺服电机、步进电机等。

3. 太阳能逆变器：  
   在光伏系统中，这款MOSFET可以用于将直流电转换为交流电的逆变器电路中，支持高效的能量转换。

4. 不间断电源 (UPS)：  
   该器件可应用于UPS系统中，提供稳定的电力输出，尤其是在备用电源切换时实现快速响应。

5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV)：  
   NGTB30N120IHRWG适合用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电动车辆中的其他高压功率转换模块。

6. 工业自动化设备：  
   在工业自动化领域，这款MOSFET可用于控制高功率负载，例如电磁阀、继电器和加热元件。

7. 照明系统：  
   高效的LED驱动器和高压气体放电灯（如HID灯）也可以利用此MOSFET进行功率调节。

8. 焊接设备：  
   在焊接机中，该器件能够承受高电压和大电流，确保稳定的工作性能。

总结来说，NGTB30N120IHRWG凭借其1200V的击穿电压、低导通电阻以及快速开关特性，非常适合高压、高效率的功率转换和控制应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	-/230ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	120A
描述	IGBT 1200V 60A 384W TO247
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	225nC
IGBT类型	沟道和场截止
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NGTB30N120IHRWG
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
SwitchingEnergy	700µJ （关）
TestCondition	600V, 30A, 10 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.5V @ 15V，30A
供应商器件封装	TO-247
其它名称	NGTB30N120IHRWGOS
功率-最大值	384W
包装	管件
反向恢复时间(trr)	-
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-247-3
标准包装	30
电压-集射极击穿（最大值）	1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）	60A
输入类型	标准