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FDT457N产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDT457N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT457N价格参考。Fairchild SemiconductorFDT457N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 5A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4。您可以下载FDT457N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDT457N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDT457N 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于多种电力电子应用。以下是 FDT457N 的一些典型应用场景: 1. 电源管理 FDT457N 常用于各种电源管理系统中,如 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)和电池充电电路。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高转换效率。此外,MOSFET 的快速开关特性可以实现高效的电压调节,适用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备的电源管理模块。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,FDT457N 可以作为功率级开关,控制电机的启停和调速。例如,在无刷直流电机(BLDC)驱动器中,MOSFET 被用作逆变器的一部分,将直流电转换为三相交流电来驱动电机。FDT457N 的低导通电阻和快速开关能力使其能够高效地处理电机启动时的大电流冲击,并且在高速运行时保持较低的温升。 3. 负载切换 FDT457N 可用于负载切换电路中,特别是在需要频繁开启和关闭大电流负载的情况下。它可以用作负载开关,控制电源与负载之间的连接,确保在负载启动或关闭时不会对系统造成过大冲击。这种应用常见于工业控制系统、汽车电子和消费电子产品中。 4. 保护电路 FDT457N 还可以用于过流保护和短路保护电路中。通过检测电流并根据预设阈值控制 MOSFET 的导通状态,可以有效防止过载或短路情况下的损坏。这在电源适配器、USB 充电器和其他供电设备中尤为重要,能够提高系统的可靠性和安全性。 5. 信号放大 虽然 MOSFET 主要用于开关应用,但在某些情况下也可以用作信号放大器。FDT457N 的高输入阻抗和低输出阻抗特性使其适合用于低频信号放大电路,尤其是在需要隔离输入和输出信号的应用中。 总之,FDT457N 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电力电子设备中,尤其适用于需要高效开关和低功耗的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223MOSFET SOT-223 N-CH 30V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
Id-连续漏极电流 | 5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDT457N- |
数据手册 | |
产品型号 | FDT457N |
Pd-PowerDissipation | 3 W |
Pd-功率耗散 | 3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 3 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 235pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.9nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223-3 |
其它名称 | FDT457NCT |
典型关闭延迟时间 | 12 ns |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 250.200 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 5 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Ta) |
系列 | FDT457 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
零件号别名 | FDT457N_NL |