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  • 型号: FDT457N
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDT457N产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDT457N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT457N价格参考。Fairchild SemiconductorFDT457N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 5A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4。您可以下载FDT457N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDT457N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDT457N 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于多种电力电子应用。以下是 FDT457N 的一些典型应用场景:

 1. 电源管理
FDT457N 常用于各种电源管理系统中,如 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)和电池充电电路。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高转换效率。此外,MOSFET 的快速开关特性可以实现高效的电压调节,适用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备的电源管理模块。

 2. 电机驱动
在小型电机驱动应用中,FDT457N 可以作为功率级开关,控制电机的启停和调速。例如,在无刷直流电机(BLDC)驱动器中,MOSFET 被用作逆变器的一部分,将直流电转换为三相交流电来驱动电机。FDT457N 的低导通电阻和快速开关能力使其能够高效地处理电机启动时的大电流冲击,并且在高速运行时保持较低的温升。

 3. 负载切换
FDT457N 可用于负载切换电路中,特别是在需要频繁开启和关闭大电流负载的情况下。它可以用作负载开关,控制电源与负载之间的连接,确保在负载启动或关闭时不会对系统造成过大冲击。这种应用常见于工业控制系统、汽车电子和消费电子产品中。

 4. 保护电路
FDT457N 还可以用于过流保护和短路保护电路中。通过检测电流并根据预设阈值控制 MOSFET 的导通状态,可以有效防止过载或短路情况下的损坏。这在电源适配器、USB 充电器和其他供电设备中尤为重要,能够提高系统的可靠性和安全性。

 5. 信号放大
虽然 MOSFET 主要用于开关应用,但在某些情况下也可以用作信号放大器。FDT457N 的高输入阻抗和低输出阻抗特性使其适合用于低频信号放大电路,尤其是在需要隔离输入和输出信号的应用中。

总之,FDT457N 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电力电子设备中,尤其适用于需要高效开关和低功耗的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223MOSFET SOT-223 N-CH 30V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5 A

Id-连续漏极电流

5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDT457N-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FDT457N

Pd-PowerDissipation

3 W

Pd-功率耗散

3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

60 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

60 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

12 ns

下降时间

3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

235pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.9nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

60 毫欧 @ 5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-223-3

其它名称

FDT457NCT

典型关闭延迟时间

12 ns

功率-最大值

1.1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

250.200 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

5 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A (Ta)

系列

FDT457

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

零件号别名

FDT457N_NL

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