Datasheet下载- 型号： IRFSL59N10D
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFSL59N10D由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFSL59N10D价格参考。International RectifierIRFSL59N10D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFSL59N10D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFSL59N10D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFSL59N10D是一款N沟道MOSFET晶体管，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关电源设计，如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，减少功率损耗。 2. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动中，IRFSL59N10D可用作开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。其耐压能力（100V）适合大多数低压电机应用。 3. 负载开关：作为负载开关使用时，该器件能够快速响应并保护电路免受过流或短路的影响，同时提供高效的电流传输。 4. 电池管理系统（BMS）：在锂电池或其他可充电电池组中，此MOSFET可用于充放电路径管理，确保电池安全运行并延长使用寿命。 5. LED驱动：用于高亮度LED照明系统中，通过PWM调光等方式调节LED亮度，保持恒定电流输出以保证灯光稳定性。 6. 汽车电子：尽管具体参数需进一步确认是否完全满足车规级要求，但在某些非关键性车载设备上（如音响系统、座椅加热等），也可能采用此类MOSFET进行功率控制。 7. 消费类电子产品：如家用电器、个人护理产品等需要高效能比的小型化设计场合，均可利用IRFSL59N10D来优化性能表现。 总之，凭借其优良的电气特性和可靠性，IRFSL59N10D广泛适用于各类需要高性能功率切换与控制的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 59A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRFSL59N10D |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 114nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 35.4A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 其它名称 | *IRFSL59N10D |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 59A （Tc） |
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