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  • 型号: FCH22N60N
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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FCH22N60N产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FCH22N60N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCH22N60N价格参考。Fairchild SemiconductorFCH22N60N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 22A(Tc) 205W(Tc) TO-247-3。您可以下载FCH22N60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCH22N60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 22A TO-247MOSFET SUPREMOS 22A-TO247

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

22 A

Id-连续漏极电流

22 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCH22N60NSupreMOS™

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产品型号

FCH22N60N

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

205 W

Pd-功率耗散

205 W

Qg-GateCharge

45 nC

Qg-栅极电荷

45 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

140 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

140 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

16.7 ns

下降时间

4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1950pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

45nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

165 毫欧 @ 11A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

功率-最大值

205W

包装

管件

单位重量

6.390 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

150

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

22 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

22A (Tc)

系列

FCH22N60N

配置

Single

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