Datasheet下载- 型号： IRFR2905ZTRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR2905ZTRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR2905ZTRLPBF价格参考。International RectifierIRFR2905ZTRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR2905ZTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR2905ZTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRFR2905ZTRLPBF的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，且为单个器件。以下是该型号MOSFET的主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压或升压电路中，作为开关元件实现高效的电压转换。 - 开关电源（SMPS）：适用于各种开关电源设计，如适配器、充电器和工业电源，提供高效率和低损耗。 - 负载切换：在需要动态控制电流流动的场景中，用作负载切换开关。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于驱动和控制小型直流电机，特别是在低功耗和高效运行的应用中。 - H桥电路：作为H桥的一部分，用于双向电机控制，常见于机器人、玩具和家用电器中。 3. 汽车电子 - 车载电子设备：用于汽车中的照明控制、风扇控制、泵驱动等。 - 启动和保护电路：在汽车启动系统中，作为关键的功率开关元件。 4. 工业应用 - 可编程逻辑控制器（PLC）：用于工业自动化中的开关和控制功能。 - 继电器替代：在需要快速开关响应和长寿命的场合，用MOSFET替代传统机械继电器。 5. 消费类电子产品 - 音频放大器：在某些功率放大器设计中，用作输出级开关。 - 电池管理系统（BMS）：用于锂电池保护电路中，控制电池充放电过程。 6. 通信设备 - 信号调制与解调：在通信设备中，用于高频信号的开关和处理。 - 功率放大：在某些射频（RF）应用中，作为功率放大器的一部分。 性能特点支持的应用需求： - 低导通电阻（Rds(on)）：降低导通损耗，适合高电流应用。 - 高耐压能力：能够承受较高的漏源极电压，适用于高压环境。 - 快速开关速度：减少开关损耗，提高效率。 - 优异的热性能：能够在高温环境下稳定工作，适合严苛的应用场景。 总之，IRFR2905ZTRLPBF凭借其高性能参数，广泛应用于需要高效功率转换、快速开关和可靠性的各种领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 42A DPAKMOSFET MOSFT 55V 59A 14.5mOhm 29nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 59 A |
| Id-连续漏极电流 | 59 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR2905ZTRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR2905ZTRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 44 nC |
| Qg-栅极电荷 | 44 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 66 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1380pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.5 毫欧 @ 36A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 14.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 59 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 配置 | Single |
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