Datasheet下载- 型号： FDD14AN06LA0
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD14AN06LA0由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD14AN06LA0价格参考。Fairchild SemiconductorFDD14AN06LA0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD14AN06LA0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD14AN06LA0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD14AN06LA0 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率管理的场景。其主要特点包括低导通电阻、高耐压（60V）和高电流承载能力（持续漏极电流可达140A），适用于高效率电源转换和功率控制。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，提高电源效率，降低损耗。 2. 电机驱动：在电动工具、电动车和工业电机控制系统中，作为高效开关元件，控制电机的启停与转速。 3. 汽车电子：用于车载电源系统、电池管理系统（BMS）以及车身控制模块，满足汽车应用中对可靠性和效率的高要求。 4. 工业自动化：在PLC、伺服驱动器和工业电源中，作为关键功率开关元件，实现精确控制和高能效。 5. 消费类电子产品：如高功率移动电源、充电器和储能系统，用于高效能量传输与管理。 该器件采用DPAK封装，具备良好的热性能和可靠性，适合高密度、高效率的功率设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD14AN06LA0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2810pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.6 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.5A （Ta）， 50A （Tc） |
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