Datasheet下载- 型号： TPH8R80ANH,L1Q
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPH8R80ANH,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPH8R80ANH,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPH8R80ANH,L1Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPH8R80ANH,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPH8R80ANH,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TPH8R80ANH, L1Q 的晶体管，属于 Toshiba Semiconductor and Storage 旗下的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），是一款单沟道（单FET）功率MOSFET器件。该器件通常用于需要高效能、低导通电阻和快速开关特性的应用场合。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器等电源转换模块中，提升能源转换效率。 2. 电机驱动：适用于电动工具、工业自动化设备中的电机控制电路。 3. 负载开关：在服务器、计算机主板或工业控制系统中作为高效率的负载开关使用。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制，提升系统能效与安全性。 5. 汽车电子：如车载充电器、车身控制模块等对可靠性和效率要求较高的汽车应用。 6. 工业控制设备：如PLC、变频器、伺服驱动器等工业自动化系统中的功率控制部分。 该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)）、高耐压（80V）和良好的热稳定性，适合高频开关应用，有助于减小系统尺寸并提高整体效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 2180 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 100V 32A 8-SOPMOSFET N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 59 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH8R80ANH |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TPH8R80ANH,L1Q- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH8R80ANH |
| 产品型号 | TPH8R80ANH,L1QTPH8R80ANH,L1Q |
| Pd-PowerDissipation | 61 W |
| Pd-功率耗散 | 61 W |
| Qg-GateCharge | 33 nC |
| Qg-栅极电荷 | 33 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.4 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 500µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.8 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP 高级 |
| 其它名称 | TPH8R80ANHL1QDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 61W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 7.4 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 59 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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