Datasheet下载- 型号： SI7806ADN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7806ADN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7806ADN-T1-GE3价格参考。VishaySI7806ADN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7806ADN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7806ADN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7806ADN-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： SI7806ADN适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、降压或升压电路中的开关元件。其低Rds(on)特性能够减少功率损耗，提高效率。 2. 负载切换： 该MOSFET可用于负载切换应用中，例如在便携式设备、笔记本电脑或工业控制中实现快速、高效地开启或关闭负载。 3. 电机驱动： 在小型电机驱动应用中，SI7806ADN可以用作开关器件，支持高效的PWM（脉宽调制）控制，适用于风扇、泵或其他小型直流电机。 4. 电池保护： 它可以用于电池管理系统中，作为电池充放电路径的开关，提供过流保护和短路保护功能。 5. 通信设备： 在通信设备中，这款MOSFET可用于信号路径的开关或电源路径的控制，确保信号完整性和系统稳定性。 6. 消费电子： 常见于智能手机、平板电脑和其他消费类电子产品中，用于音频放大器供电、LED背光驱动等场景。 7. 工业自动化： 在工业自动化领域，SI7806ADN可作为传感器接口、继电器驱动或信号隔离电路中的关键元件。 总之，SI7806ADN凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的各种场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8MOSFET 30V 14A 3.7W 11mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72995 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7806ADN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7806ADN-T1-GE3SI7806ADN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 14A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7806ADN-GE3 |
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