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Datasheet下载- 型号： SI4842BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI4842BDY-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4842BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4842BDY-T1-E3价格参考。VishaySI4842BDY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 28A（Tc） 3W（Ta），6.25W（Tc） 8-SO。您可以下载SI4842BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4842BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4842BDY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，其主要应用场景包括以下几个方面： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：该 MOSFET 可用于开关电源中的同步整流或降压/升压转换电路，提供高效的开关性能。 - 负载开关：在便携式设备中，作为负载开关控制电流的通断，实现快速响应和低导通电阻（Rds(on)）以减少功耗。 - 电池保护电路：适用于锂电池管理系统，用于防止过流、短路或反向充电。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：可用于驱动小型直流电机或步进电机，支持高效启动、停止和调速功能。 - H 桥电路：在 H 桥配置中，配合其他 MOSFET 实现电机的正反转控制。 3. 消费电子设备 - 智能手机和平板电脑：用于内部电源管理和外围设备接口的开关控制。 - USB 充电端口保护：在 USB-C 或其他充电接口中，作为保护开关防止过流或短路。 4. 通信与网络设备 - 信号切换：在路由器、交换机等设备中用作信号路径切换元件。 - 热插拔保护：在服务器或存储设备中，保护电路免受插入或移除模块时的瞬态电流冲击。 5. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频放大器或显示屏的电源管理。 - LED 照明驱动：控制车内 LED 灯光的亮度和开关。 - 辅助电源电路：为传感器、控制器等提供稳定的电源供应。 6. 工业应用 - 传感器接口：用于工业自动化设备中的传感器信号调理和驱动。 - 数据采集系统：作为开关元件，控制信号的采样和传输。 SI4842BDY-T1-E3 的优势在于其低导通电阻（典型值为 7.5 mΩ）、高开关速度以及出色的热性能，使其非常适合需要高效能和紧凑设计的应用场景。同时，其小型封装（如 DPAK 封装）也便于在空间受限的设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOICMOSFET 30V 23A 3.5W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
| Id-连续漏极电流 | 28 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4842BDY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4842BDY-T1-E3SI4842BDY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 6.25 W |
| Pd-功率耗散 | 6.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 190 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3650pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4842BDY-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 6.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4842BDY-E3 |
