Datasheet下载- 型号： SI2321DS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2321DS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2321DS-T1-GE3价格参考。VishaySI2321DS-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2321DS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2321DS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI2321DS-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻、小尺寸和高可靠性等特点。该器件广泛应用于便携式电子设备和电源管理场合。典型应用场景包括：手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的电源开关和负载开关，用于控制电池供电或模块供电的通断；在DC-DC转换电路中作为同步整流或高端/低端开关，提升转换效率；还可用于LED驱动电路中的开关控制，实现亮度调节或节能关断。此外，因其响应速度快、驱动简单，也适用于各类信号开关和小型电机驱动电路。SI2321DS-T1-GE3具备良好的热稳定性和静电防护能力，适合在紧凑空间和高密度PCB布局中使用，是现代低电压、低功耗系统中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI2321DS-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 715pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 57 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 710mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A （Ta） |
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