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  • 型号: 2N6660JTVP02
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N6660JTVP02由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6660JTVP02价格参考。Vishay2N6660JTVP02封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N6660JTVP02参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N6660JTVP02 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 2N6660JTVP02 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,其主要应用场景包括:

1. 开关电源 (SMPS):该 MOSFET 可用于开关电源中的功率开关,提供高效的电力转换。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高效率。

2. 电机控制:适用于小型直流电机的驱动和控制。通过 PWM(脉宽调制)技术,可以实现对电机速度和方向的精确控制。

3. 负载开关:在便携式设备中,用作负载开关以管理电源分配,确保设备在待机模式下的低功耗。

4. 电池保护电路:用于防止过充、过放或短路等异常情况,保护电池安全。

5. 信号切换:在音频或视频设备中,用作信号路径切换,确保信号传输的稳定性和可靠性。

6. 逆变器:在小型逆变器应用中,作为功率级器件,将直流电转换为交流电。

7. 继电器替代:由于其快速开关特性和长寿命,可替代传统机械继电器用于各种电子开关应用。

这款 MOSFET 具有较高的电流承载能力和良好的热性能,适合需要高效功率转换和可靠开关操作的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

2N6660JTVP02

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

50pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 欧姆 @ 1A, 10V

供应商器件封装

TO-39

功率-最大值

725mW

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-205AD,TO-39-3 金属罐

标准包装

20

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

990mA (Tc)

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