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  • 型号: IRFR1205PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFR1205PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR1205PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR1205PBF价格参考。International RectifierIRFR1205PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR1205PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR1205PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRFR1205PBF是一款单通道MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型功率MOSFET。其应用场景广泛,主要应用于需要高效、快速开关和低导通电阻的电路中。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器:IRFR1205PBF常用于降压或升压型DC-DC转换器中,作为主开关器件。其低导通电阻(Rds(on))能够减少传导损耗,提高转换效率。
   - 开关电源(SMPS):在开关电源中,该MOSFET可以用于初级侧或次级侧的开关控制,适用于各种类型的开关电源设计,如反激式、正激式等。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机(BLDC):在BLDC电机驱动中,IRFR1205PBF可以作为逆变器桥臂的一部分,用于驱动电机绕组。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高电机的效率和响应速度。
   - 步进电机驱动:在步进电机驱动电路中,该MOSFET可以用于电流控制和相位切换,确保电机平稳运行。

 3. 电池管理系统(BMS)
   - 电池充放电保护:IRFR1205PBF可以用作电池充放电路径中的开关,通过快速切断电流来保护电池免受过充、过放或短路的影响。
   - 负载开关:在电池管理系统中,该MOSFET还可以用作负载开关,控制电池与负载之间的连接,确保系统的安全性和稳定性。

 4. 工业自动化
   - 可编程逻辑控制器(PLC):在PLC中,IRFR1205PBF可以用于驱动外部负载,如继电器、电磁阀等,实现对工业设备的精确控制。
   - 伺服控制系统:在伺服控制系统中,该MOSFET可以用于驱动伺服电机,提供高精度的位置和速度控制。

 5. 汽车电子
   - 车载充电器:在电动汽车或混合动力汽车的车载充电器中,IRFR1205PBF可以用于功率转换部分,帮助实现高效的能量传输。
   - 电动助力转向系统(EPS):在EPS系统中,该MOSFET可以用于驱动转向电机,提供辅助转向力,提升驾驶体验。

总之,IRFR1205PBF凭借其优异的电气特性,如低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力,广泛应用于各类电力电子设备中,尤其适合需要高效能和可靠性的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 55V 44A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

37 A

Id-连续漏极电流

37 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR1205PBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFR1205PBF

Pd-PowerDissipation

69 W

Pd-功率耗散

69 W

Qg-GateCharge

43.3 nC

Qg-栅极电荷

43.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

27 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

27 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

69 ns

下降时间

60 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

65nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

27 毫欧 @ 26A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

典型关闭延迟时间

47 ns

功率-最大值

107W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

44A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr1205.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr1205.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

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