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IRFR1205PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR1205PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR1205PBF价格参考。International RectifierIRFR1205PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR1205PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR1205PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR1205PBF是一款单通道MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型功率MOSFET。其应用场景广泛,主要应用于需要高效、快速开关和低导通电阻的电路中。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:IRFR1205PBF常用于降压或升压型DC-DC转换器中,作为主开关器件。其低导通电阻(Rds(on))能够减少传导损耗,提高转换效率。 - 开关电源(SMPS):在开关电源中,该MOSFET可以用于初级侧或次级侧的开关控制,适用于各种类型的开关电源设计,如反激式、正激式等。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机(BLDC):在BLDC电机驱动中,IRFR1205PBF可以作为逆变器桥臂的一部分,用于驱动电机绕组。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高电机的效率和响应速度。 - 步进电机驱动:在步进电机驱动电路中,该MOSFET可以用于电流控制和相位切换,确保电机平稳运行。 3. 电池管理系统(BMS) - 电池充放电保护:IRFR1205PBF可以用作电池充放电路径中的开关,通过快速切断电流来保护电池免受过充、过放或短路的影响。 - 负载开关:在电池管理系统中,该MOSFET还可以用作负载开关,控制电池与负载之间的连接,确保系统的安全性和稳定性。 4. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器(PLC):在PLC中,IRFR1205PBF可以用于驱动外部负载,如继电器、电磁阀等,实现对工业设备的精确控制。 - 伺服控制系统:在伺服控制系统中,该MOSFET可以用于驱动伺服电机,提供高精度的位置和速度控制。 5. 汽车电子 - 车载充电器:在电动汽车或混合动力汽车的车载充电器中,IRFR1205PBF可以用于功率转换部分,帮助实现高效的能量传输。 - 电动助力转向系统(EPS):在EPS系统中,该MOSFET可以用于驱动转向电机,提供辅助转向力,提升驾驶体验。 总之,IRFR1205PBF凭借其优异的电气特性,如低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力,广泛应用于各类电力电子设备中,尤其适合需要高效能和可靠性的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 55V 44A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 37 A |
Id-连续漏极电流 | 37 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR1205PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFR1205PBF |
Pd-PowerDissipation | 69 W |
Pd-功率耗散 | 69 W |
Qg-GateCharge | 43.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 43.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 69 ns |
下降时间 | 60 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 27 毫欧 @ 26A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
典型关闭延迟时间 | 47 ns |
功率-最大值 | 107W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 44A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr1205.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr1205.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |