Datasheet下载- 型号： NTGS3443T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTGS3443T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGS3443T1价格参考。ON SemiconductorNTGS3443T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTGS3443T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTGS3443T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTGS3443T1是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景：
1. 电源管理
- NTGS3443T1具有低导通电阻（Rds(on)），适合用于高效能的电源开关应用，例如：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 负载开关
2. 电机驱动
- 该MOSFET可用于小型直流电机的驱动和控制，适用于以下场景：
- 消费电子设备中的风扇或泵控制
- 机器人技术中的电机驱动
3. 电池管理
- 在便携式设备中，NTGS3443T1可用于电池保护和充放电管理：
- 电池组保护电路
- 充电控制器
4. 信号切换
- 由于其快速开关特性和低漏电流，适合用作信号切换器件：
- 音频信号切换
- 数据通信线路切换
5. 消费类电子产品
- 广泛应用于各种消费类电子产品中，例如：
- 移动设备（如智能手机和平板电脑）的电源管理模块
- 笔记本电脑的外设接口控制
6. 工业应用
- 在工业自动化领域中，可用于：
- 传感器信号调理
- 小功率负载控制
特性总结
NTGS3443T1以其低导通电阻（典型值为4.5mΩ）、高电流处理能力（最大 drain-source 电流可达70A）以及小封装（SOT-23-3L）而著称，非常适合需要高效能、小尺寸和低功耗的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTGS3443T1 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 565pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | NTGS3443T1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Ta） |
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