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AOT8N50产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供AOT8N50由ALPHA&OMEGA设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AOT8N50价格参考。ALPHA&OMEGAAOT8N50封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 192W(Tc) TO-220。您可以下载AOT8N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AOT8N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 的 AOT8N50 是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要特点包括高耐压(500V)、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于电源管理和功率转换系统。 典型应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:用于AC-DC转换电路中,提高能效并减小体积。 2. DC-DC转换器:在服务器、通信设备和工业控制系统中实现高效电压调节。 3. 电机驱动:如电动工具、家电及自动化设备中的功率控制部分。 4. 照明系统:如LED驱动电源中作为主开关器件。 5. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源或太阳能逆变系统中进行功率变换。 该器件采用TO-252封装,便于散热和安装,适合中高功率应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | AOT8N50 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1042pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 850 毫欧 @ 4A,10V |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | 785-1171-5 |
功率-最大值 | 192W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Tc) |