Datasheet下载- 型号： SI3481DV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3481DV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3481DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3481DV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3481DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3481DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3481DV-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 电源管理开关：常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现低功耗待机与高效能切换。 2. 电压反转与电平转换：在数字逻辑电路中用于电平移位，适配不同电压域之间的信号传输，如I²C总线等通信接口的电平转换。 3. 过压/反向电压保护：可用于防止电池反接或电源异常导致的损坏，广泛应用于移动电源、充电器及USB接口保护电路。 4. 便携式消费类电子产品：因其小尺寸和低导通电阻（RDS(on)），适合集成在蓝牙耳机、智能手表、无线模块等对空间和功耗敏感的产品中。 5. 高密度PCB设计：SOT-23封装有助于节省电路板空间，适合高集成度的主板或模块化设计。 SI3481DV-T1-GE3具有低阈值电压、快速开关响应和良好的热稳定性，可在工业温度范围内可靠工作，适用于需要高效、紧凑设计的直流电源控制场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3481DV-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 48 毫欧 @ 5.3A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 1.14W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
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