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详细数据请看参考数据手册
- 型号： ZVN3320ASTOA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN3320ASTOA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN3320ASTOA价格参考。Diodes Inc.ZVN3320ASTOA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVN3320ASTOA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN3320ASTOA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVN3320ASTOA是Diodes Incorporated生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号MOSFET类别。该器件常用于低电压、低功率的开关与放大应用场合。其主要应用场景包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理与信号切换，因其具备低栅极电荷和快速开关特性，适合高频开关电路。 此外，ZVN3320ASTOA广泛应用于各类消费类电子产品中的驱动电路、LED开关控制、电池供电设备的负载开关以及小型电机或继电器的控制。由于其采用SOT-23封装，体积小巧，非常适合空间受限的高密度PCB设计。 在模拟开关、音频信号路由和传感器接口电路中，该MOSFET也表现出良好的性能，能够实现低失真的信号通断控制。同时，得益于较低的导通电阻（RDS(on)）和阈值电压，它在节能和延长电池寿命方面具有优势，适用于对功耗敏感的应用环境。 总之，ZVN3320ASTOA是一款高性价比、高可靠性的单N沟道MOSFET，适用于各类低功率开关与控制场景，特别适合消费电子、工业控制和便携式设备中的小型化、高效能设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 200V TO92-3MOSFET N-CHAN 200V TO92-3 |
| 产品分类 | FET - 单FET - 单 |
| FET功能 | 标准标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes IncorporatedDiodes/Zetex |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ZVN3320ASTOAZVN3320ASTOA |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | -- |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 45pF @ 25V45pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | -- |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 欧姆 @ 100mA，10V25 欧姆 @ 100mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | TO-92-3TO-92-3 |
| 其它名称 | ZVN3320ASTOACT |
| 功率-最大值 | 625mW625mW |
| 包装 | 剪切带 （CT）带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 标准包装 | 2,0001 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA （Ta）100mA （Ta） |
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