Datasheet下载- 型号： BSP316PE6327T
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP316PE6327T由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP316PE6327T价格参考。InfineonBSP316PE6327T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSP316PE6327T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP316PE6327T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 BSP316PE6327T 是一款由英飞凌生产的 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管中的 FET 类别。该器件通常用于需要高效、低功耗控制的电子系统中。 应用场景包括： 1. 电源管理：适用于电池供电设备中的负载开关、电源切换和电压调节，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子产品。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，用于电动工具、风扇或汽车中的辅助电机控制。 3. 汽车电子：用于车载系统如车窗控制、灯光控制、继电器替代等，因其具备较高的可靠性和耐温性能。 4. 工业自动化：用于工业控制系统中的信号开关、继电器驱动、传感器电源控制等场景。 5. 通信设备：在通信模块中用于电源切换、信号路由或负载管理。 该 MOSFET 具有低导通电阻、小型封装（如 TSOP）和良好的热稳定性，适合高密度 PCB 设计和对空间有要求的应用。同时其逻辑电平栅极驱动特性，使其可直接由微控制器控制，适用于数字控制的开关电路。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSP316P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bcfdf4602 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSP316PE6327T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 170µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 146pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.8 欧姆 @ 680mA，10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 其它名称 | BSP316PE6327XTINCT |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 680mA （Ta） |
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