Datasheet下载- 型号： HUFA75329D3S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA75329D3S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA75329D3S价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA75329D3S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA75329D3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA75329D3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUFA75329D3S是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型MOSFET，属于高性能功率MOSFET产品系列。该器件采用先进的Trench工艺技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热稳定性，适用于多种高效率、高频率的电源转换场景。 主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC和DC-DC转换器中，如适配器、充电器、服务器电源等，因其低导通损耗可提升整体能效。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，如家用电器、电动工具和工业自动化设备中的H桥或半桥驱动模块。 3. 照明系统：在LED驱动电源中作为主开关管使用，支持高亮度LED恒流供电，满足节能与小型化设计需求。 4. 消费电子：常见于笔记本电脑、显示器、电视等设备的电源管理单元，实现高效电压转换与功率调节。 5. 电池管理系统（BMS）：可用于电池充放电回路的开关控制，提供快速响应和低功耗性能。 6. 汽车电子辅助电源：虽非车规级主控器件，但在部分车载低功率电源模块中有应用潜力，如车载充电器或DC-DC模块。 该MOSFET采用DPAK（TO-252）封装，便于散热和焊接，适合中等功率应用。其优异的雪崩能量耐受能力和可靠的栅极氧化层设计，增强了系统在瞬态负载或异常工况下的稳定性。综合来看，HUFA75329D3S是一款适用于工业、消费类及部分车载领域中高效、紧凑型电源设计的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75329D3S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 128W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
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