图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: FQPF19N20C
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

FQPF19N20C产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF19N20C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF19N20C价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF19N20C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 43W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF19N20C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF19N20C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF19N20C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。其应用场景主要包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - 开关电源(SMPS):FQPF19N20C 的高耐压特性(200V)和低导通电阻(典型值为 0.35Ω),使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压电路中作为主开关管,实现高效的电压转换。
   - 线性稳压器:用作调整管以稳定输出电压。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器等领域的直流电机驱动电路,提供高效的开关和保护功能。
   - H 桥电路:在 H 桥配置中,用于双向控制电机的正转和反转。

 3. 负载开关
   - 在需要快速启停的系统中,作为负载开关使用,例如汽车电子设备、工业自动化设备中的负载切换。

 4. 逆变器和变频器
   - 光伏逆变器:用于将直流电转换为交流电的小型光伏逆变器中。
   - 变频控制器:在空调、冰箱等家电的变频控制系统中,作为功率级元件。

 5. 保护电路
   - 过流保护:利用其低导通电阻和快速开关特性,设计过流保护电路。
   - 短路保护:通过检测异常电流,及时关断电路以保护后端设备。

 6. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷器、座椅调节器等应用中,作为功率开关。
   - LED 驱动:用于驱动汽车外部照明(如尾灯、转向灯)或内部照明。

 7. 其他通用应用
   - 继电器替代:在需要频繁开关的场景中,取代传统机械继电器,提高可靠性和寿命。
   - 音频放大器:在某些低功耗音频放大器中,用作输出级功率管。

总结来说,FQPF19N20C 凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域,特别是在需要高效功率转换和开关操作的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 19A TO-220FMOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

19 A

Id-连续漏极电流

19 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF19N20CQFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FQPF19N20C

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

43 W

Pd-功率耗散

43 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

170 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

170 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

150 ns

下降时间

115 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1080pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

53nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

170 毫欧 @ 9.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220F

典型关闭延迟时间

135 ns

功率-最大值

43W

包装

管件

单位重量

2.270 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

10.8 S

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

19A (Tc)

系列

FQPF19N20C

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQPF19N20C_NL

推荐商品

型号:NVD5807NT4G

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:HUF75645S3ST

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:TPHR9003NL,L1Q

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FDMS86101DC

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IPW90R800C3FKSA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF644SPBF

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BSS138LT1

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SIJ470DP-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
FQPF19N20C 相关产品

ATP302-TL-H

品牌:ON Semiconductor

价格:¥6.76-¥6.76

NP35N04YUG-E1-AY

品牌:Renesas Electronics America

价格:

IXTH6N120

品牌:IXYS

价格:

FCPF260N60E

品牌:ON Semiconductor

价格:

STN5PF02V

品牌:STMicroelectronics

价格:

NTMS4N01R2G

品牌:ON Semiconductor

价格:

FDD8778

品牌:ON Semiconductor

价格:

BSO110N03MSGXUMA1

品牌:Infineon Technologies

价格: