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FQPF19N20C产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF19N20C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF19N20C价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF19N20C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 43W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF19N20C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF19N20C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF19N20C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):FQPF19N20C 的高耐压特性(200V)和低导通电阻(典型值为 0.35Ω),使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。 - DC-DC 转换器:在降压或升压电路中作为主开关管,实现高效的电压转换。 - 线性稳压器:用作调整管以稳定输出电压。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器等领域的直流电机驱动电路,提供高效的开关和保护功能。 - H 桥电路:在 H 桥配置中,用于双向控制电机的正转和反转。 3. 负载开关 - 在需要快速启停的系统中,作为负载开关使用,例如汽车电子设备、工业自动化设备中的负载切换。 4. 逆变器和变频器 - 光伏逆变器:用于将直流电转换为交流电的小型光伏逆变器中。 - 变频控制器:在空调、冰箱等家电的变频控制系统中,作为功率级元件。 5. 保护电路 - 过流保护:利用其低导通电阻和快速开关特性,设计过流保护电路。 - 短路保护:通过检测异常电流,及时关断电路以保护后端设备。 6. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷器、座椅调节器等应用中,作为功率开关。 - LED 驱动:用于驱动汽车外部照明(如尾灯、转向灯)或内部照明。 7. 其他通用应用 - 继电器替代:在需要频繁开关的场景中,取代传统机械继电器,提高可靠性和寿命。 - 音频放大器:在某些低功耗音频放大器中,用作输出级功率管。 总结来说,FQPF19N20C 凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域,特别是在需要高效功率转换和开关操作的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 19A TO-220FMOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF19N20CQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQPF19N20C |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 43 W |
| Pd-功率耗散 | 43 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 170 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 150 ns |
| 下降时间 | 115 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1080pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 170 毫欧 @ 9.5A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 135 ns |
| 功率-最大值 | 43W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 10.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19A (Tc) |
| 系列 | FQPF19N20C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQPF19N20C_NL |