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  • 型号: FQPF19N20C
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQPF19N20C产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF19N20C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF19N20C价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF19N20C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 43W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF19N20C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF19N20C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 19A TO-220FMOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

19 A

Id-连续漏极电流

19 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF19N20CQFET®

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产品型号

FQPF19N20C

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

43 W

Pd-功率耗散

43 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

170 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

170 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

150 ns

下降时间

115 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1080pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

53nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

170 毫欧 @ 9.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220F

典型关闭延迟时间

135 ns

功率-最大值

43W

包装

管件

单位重量

2.270 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

10.8 S

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

19A (Tc)

系列

FQPF19N20C

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQPF19N20C_NL

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