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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUM85N15-19-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUM85N15-19-E3价格参考。VishaySUM85N15-19-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SUM85N15-19-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUM85N15-19-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUM85N15-19-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,其主要应用场景包括以下领域: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等电路中,作为高效开关元件。 - 电池充电器:适用于锂电池或其他可充电电池的充电管理电路,控制电流和电压输出。 - 负载开关:在便携式设备中用作负载开关,实现快速开启/关闭功能并降低功耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:可用于驱动小型风扇、玩具电机或家用电器中的电机。 - H 桥电路:在双向电机控制应用中,SUM85N15-19-E3 可作为 H 桥的一部分,实现正反转和速度调节。 3. 汽车电子 - 车载电子设备:如 LED 灯光控制、电动座椅调节、车窗升降器等需要低导通电阻和高效率的应用。 - 启停系统:在汽车启停系统中,用于高效管理电池与发电机之间的能量流动。 4. 工业自动化 - 继电器替代:在工业控制中,可以用此 MOSFET 替代传统机械继电器,以提高可靠性和响应速度。 - 传感器接口:为各种工业传感器提供信号调理和功率放大功能。 5. 消费类电子产品 - 笔记本电脑适配器:用于 AC-DC 转换器中,提升能效并减少发热。 - 智能家居设备:如智能灯泡、智能插座等需要高效功率切换的应用。 6. 通信设备 - 基站电源模块:在通信基站中,用于高效分配和管理电力资源。 - 信号放大器:在射频 (RF) 和音频放大器中,提供稳定的功率输出。 技术优势 - 低导通电阻 (Rds(on)):有助于降低功耗和发热,提高整体效率。 - 高电流能力:支持较大负载电流,满足多种功率需求。 - 快速开关特性:适合高频应用,减少开关损耗。 综上所述,SUM85N15-19-E3 在各类需要高效功率切换和控制的场景中表现出色,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 150V 85A D2PAKMOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 85 A |
Id-连续漏极电流 | 85 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71703 |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUM85N15-19-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SUM85N15-19-E3SUM85N15-19-E3 |
Pd-PowerDissipation | 3.75 W |
Pd-功率耗散 | 3.75 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 170 ns |
下降时间 | 170 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4750pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 19 毫欧 @ 30A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
其它名称 | SUM85N15-19-E3-ND |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
功率-最大值 | 3.75W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 25 S |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 85A (Tc) |
系列 | SUM |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |