ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF5305STRLPBF
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Datasheet下载- 型号： IRF5305STRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5305STRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5305STRLPBF价格参考。International RectifierIRF5305STRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF5305STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF5305STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies生产的IRF5305STRLPBF是一款单通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于增强型N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻和高开关速度，适用于多种电力电子应用。 应用场景： 1. 电源管理： - IRF5305STRLPBF广泛应用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等。其低导通电阻有助于提高效率，减少发热，适用于需要高效能转换的应用。 2. 电机驱动： - 该MOSFET可用于控制小型直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。它能够快速响应PWM（脉宽调制）信号，实现精确的速度控制和位置控制，适用于电动工具、家用电器等设备。 3. 逆变器与变频器： - 在逆变器和变频器中，IRF5305STRLPBF可以用于逆变电路中的开关元件，将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等系统。 4. 电池管理系统（BMS）： - 该器件可用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关，确保电池在安全范围内工作，防止过充、过放等问题，适用于锂电池组、电动汽车等领域。 5. 汽车电子： - 在汽车电子领域，IRF5305STRLPBF可用于车身控制系统、发动机管理系统、车载充电器等，提供高效的开关控制，确保系统的稳定性和可靠性。 6. 消费电子产品： - 在消费电子产品中，如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等，该MOSFET可以用于功率调节和保护电路，确保设备的安全性和高效性。 7. 工业自动化： - 在工业自动化设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器等，IRF5305STRLPBF可以用于控制执行机构的开关动作，实现精准的工业控制。 总之，IRF5305STRLPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于广泛的电力电子应用领域，特别是在需要高效能、低损耗的开关控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAKMOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 31 A |
| Id-连续漏极电流 | - 31 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF5305STRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF5305STRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 42 nC |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF5305STRLPBFDKR |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 功率耗散 | 110 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 60 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 42 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 55 V |
| 漏极连续电流 | - 31 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf5305s.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf5305s.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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