ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - JFET > SMMBF4393LT1G
Datasheet下载- 型号： SMMBF4393LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMMBF4393LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMMBF4393LT1G价格参考￥0.41-￥0.41。ON SemiconductorSMMBF4393LT1G封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3。您可以下载SMMBF4393LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMMBF4393LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的SMMBF4393LT1G是一款表面贴装的小信号N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于晶体管-JFET类别。该器件采用微型SOT-23封装，具有体积小、功耗低、开关速度快等特点，适用于空间受限的便携式电子设备。 SMMBF4393LT1G主要应用于需要高输入阻抗和低噪声性能的模拟电路中。典型应用场景包括：音频放大器前端输入级，用于提升信号质量并减少噪声干扰；射频（RF）信号处理电路，如无线通信模块中的低电平信号放大；以及各类传感器信号调理电路，因其高输入阻抗可有效减少对微弱信号源的负载影响。 此外，该JFET也常用于精密模拟开关、恒流源设计及高频振荡电路中，适合消费类电子产品（如智能手机、耳机放大器）、便携式医疗设备、工业传感系统和低功耗物联网设备等。 由于其符合RoHS环保标准且具备良好的热稳定性和可靠性，SMMBF4393LT1G在要求高性能与小型化的现代电子设计中具有广泛适用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 30V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SMMBF4393LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 3V @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 30mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 15V（VGS） |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS（开） | 100 欧姆 |
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