ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFR5305TRPBF
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Datasheet下载- 型号： IRFR5305TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR5305TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR5305TRPBF价格参考￥1.74-￥1.74。International RectifierIRFR5305TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR5305TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR5305TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFR5305TRPBF 是一款P沟道MOSFET，属于单MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理和开关控制场景。该器件具有-55V的漏源电压和-14A的连续漏极电流能力，导通电阻低（典型值约28mΩ），适合高效率、低功耗设计。 其主要应用场景包括： 1. DC-DC转换器：在同步整流电路中作为下管使用，提升转换效率，常见于主板、显卡等电子设备的供电模块。 2. 负载开关与电源管理：用于控制电池供电设备中的电源通断，如便携式仪器、移动电源和嵌入式系统，有效防止反向电流和过载。 3. 电机驱动电路：在小功率直流电机或步进电机的H桥驱动中担任开关元件，适用于家电、电动工具等。 4. 逆变器与电源逆接保护：可用于防止电源反接损坏系统，常用于汽车电子和工业控制设备中。 5. 热插拔电路：在服务器、通信设备中实现安全的带电插拔功能，限制浪涌电流。 IRFR5305TRPBF采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能和可靠性，适合表面贴装工艺，广泛用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。其无铅、符合RoHS标准的设计也满足环保要求，是中小型功率开关应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 31A DPAKMOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 31 A |
| Id-连续漏极电流 | - 31 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR5305TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR5305TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 42 nC |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4 V |
| 上升时间 | 66 ns |
| 下降时间 | 63 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR5305TRPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 功率耗散 | 110 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 65 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 42 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 55 V |
| 漏极连续电流 | - 31 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr5305.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr5305.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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