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Datasheet下载- 型号： BFR540,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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BFR540,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFR540,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFR540,215价格参考。NXP SemiconductorsBFR540,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 15V 120mA 9GHz 500mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)。您可以下载BFR540,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFR540,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFR540,215是NXP USA Inc.生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），属于高性能硅锗碳（SiGe:C）技术器件，广泛应用于高频、低噪声的无线通信系统中。该器件主要适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围内的射频放大电路。 典型应用场景包括： 1. 无线基础设施：用于蜂窝基站中的低噪声放大器（LNA）和驱动放大器，支持GSM、CDMA、WCDMA等移动通信标准。 2. 无线局域网（WLAN）：在2.4 GHz和5 GHz频段的Wi-Fi设备中，作为射频前端放大器，提升信号接收灵敏度与传输性能。 3. 物联网（IoT）设备：适用于需要低功耗、高增益射频放大的智能传感器、远程监控模块等。 4. 卫星通信与GPS接收机：因其低噪声系数和高增益特性，适合用于微弱信号的高频放大。 5. 广播与电视调谐器：在有线或无线电视接收系统中作为射频信号放大元件。 BFR540,215具有高增益、低噪声、优良的线性度和稳定性，能在较宽温度范围内可靠工作，适合对信号质量和可靠性要求较高的射频应用。其SOT23封装便于表面贴装，适用于紧凑型高频电路设计。总体而言，该型号是现代高频模拟前端设计中的关键元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 120MA 15V 9GHZ SOT23射频双极晶体管 NPN 120MA 15V 9GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFR540,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFR540,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 40mA，8V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-1649-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar Wideband |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 9000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.12 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 120mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 输出功率 | 21 dBm |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 0.12 A |
| 零件号别名 | BFR540 T/R |
| 频率 | 9000 MHz |
| 频率-跃迁 | 9GHz |
