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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BFU725F,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFU725F,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU725F,115价格参考。NXP SemiconductorsBFU725F,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFU725F,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFU725F,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFU725F,115 是 NXP USA Inc. 生产的一款高频双极结型晶体管（BJT），主要用于射频（RF）放大应用。该器件特别适用于需要高增益和低噪声性能的无线通信系统。 其主要应用场景包括： 1. 无线基站：作为低噪声放大器（LNA）或驱动放大器，用于提升接收信号的强度，同时保持较低的噪声系数，确保通信质量。 2. 移动通信设备：在蜂窝网络设备中，如GSM、UMTS、LTE等基站系统中，用于射频信号的放大和处理。 3. 广播设备：用于FM广播或电视发射系统中的射频功率放大，提供高线性度和稳定性。 4. 测试与测量仪器：在射频测试设备中用作信号放大器，以确保测试信号的准确性和稳定性。 5. 工业控制系统：在需要高频信号处理的工业自动化系统中，作为关键的射频放大元件。 BFU725F,115 具有良好的高频性能、高增益和优良的热稳定性，适合在频率范围高达1GHz以上的应用中使用，是射频电路设计中常用的晶体管之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 20GHZ SOT343F |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFU725F,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 10mA，2V |
| 供应商器件封装 | 4-DFP |
| 其它名称 | 934061142115 |
| 功率-最大值 | 136mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz |
| 增益 | 10dB ~ 24dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 2.8V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40mA |
| 频率-跃迁 | 70GHz |
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