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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MW6S010GNR1由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MW6S010GNR1价格参考。Freescale SemiconductorMW6S010GNR1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet LDMOS 28V 125mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2 鸥翼型。您可以下载MW6S010GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MW6S010GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MW6S010GNR1 是一款高电子迁移率晶体管(HEMT),属于射频MOSFET类别,广泛应用于高频、高功率的无线通信系统中。该器件基于氮化镓(GaN)技术,具备高效率、高功率密度和优异的热性能,适用于工作频率在DC至6 GHz范围内的场景。 主要应用场景包括: 1. 雷达系统:用于军用和民用雷达中的射频功率放大,提供高输出功率与良好线性度,提升探测距离与精度。 2. 无线基础设施:在4G LTE和5G基站中作为功率放大器,支持宏蜂窝和小基站,满足高数据吞吐量需求。 3. 航空与国防通信:用于战术通信设备、电子战系统和空中平台通信,适应严苛环境下的高频稳定运行。 4. 测试与测量设备:作为信号放大模块,用于高性能射频测试仪器中,确保信号完整性与动态范围。 5. 卫星通信:在地面站和低轨卫星终端中实现高效上行链路传输。 MW6S010GNR1采用紧凑的表面贴装封装,便于集成于紧凑型射频模块中,同时支持高增益和高效率运作,有助于降低系统功耗与散热设计难度。其可靠性高,适合工业级温度范围运行,是现代高性能射频系统中的关键器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW射频MOSFET晶体管 HV6 900MHZ 10W |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
品牌 | Freescale Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MW6S010GNR1- |
数据手册 | |
产品型号 | MW6S010GNR1 |
Pd-PowerDissipation | 61.4 W |
Pd-功率耗散 | 61.4 W |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 68 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 68 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.3 V |
产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
产品类型 | RF MOSFET Power |
供应商器件封装 | TO-270-2 鸥翼型 |
其它名称 | MW6S010GNR1DKR |
功率-输出 | 10W |
功率耗散 | 61.4 W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 548 mg |
商标 | Freescale Semiconductor |
噪声系数 | - |
增益 | 18 dB at 960 MHz |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-270-2 鸥翼型 |
封装/箱体 | TO-270-2 Gull |
工厂包装数量 | 500 |
技术 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | MOSFET Power |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 68 V |
电压-测试 | 28V |
电压-额定 | 68V |
电流-测试 | 125mA |
系列 | MW6S010N |
输出功率 | 10 W |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 12 V |
频率 | 1.5 GHz |
额定电流 | 10µA |