ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > DMG9926USD-13
Datasheet下载- 型号： DMG9926USD-13
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG9926USD-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG9926USD-13价格参考。Diodes Inc.DMG9926USD-13封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 8A 1.3W 表面贴装 8-SOP。您可以下载DMG9926USD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG9926USD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMG9926USD-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双通道N沟道MOSFET阵列，采用SOT-363（SC-70）超小型封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低阈值电压和高开关效率，适合用于高密度、低功耗的应用场景。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子产品：广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于电源管理、负载开关或信号切换，因其小尺寸和高效性能有助于延长电池寿命。 2. 电源开关与负载控制：可用于DC-DC转换器中的同步整流、电池供电系统的电源通断控制，以及LED驱动电路中的开关调节。 3. 信号路由与逻辑切换：在多路复用电路或I²C、USB等低电压信号路径中作为双向模拟开关使用，实现信号通断控制。 4. 电机驱动与继电器替代：在微型电机控制或固态继电器设计中，作为低电流驱动开关，提升系统可靠性和响应速度。 5. 热插拔与过流保护电路：配合控制器实现板卡热插拔时的浪涌电流抑制，保护后级电路。 DMG9926USD-13凭借其高集成度（双MOSFET封装）、快速开关特性和良好的热稳定性，特别适合高频、低电压、低功耗的现代电子系统，是消费类电子和工业控制领域中理想的功率开关解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8LMOSFET MOSFET,N-CHANNEL |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG9926USD-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMG9926USD-13 |
| PCN其它 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 24 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 12.6 ns |
| 下降时间 | 21.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 867pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | DMG9926USD-13DIDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 64.8 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A |
| 系列 | DMG9926 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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