ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > PH2729-130M
Datasheet下载- 型号： PH2729-130M
- 制造商： M/A-COM
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PH2729-130M产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PH2729-130M由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH2729-130M价格参考。M/A-COMPH2729-130M封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 63V 12.5A 130W Chassis Mount 。您可以下载PH2729-130M参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PH2729-130M 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PH2729-130M 是 M/A-Com Technology Solutions（现为 MACOM）生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），广泛应用于射频功率放大领域。该器件设计用于在高频环境下提供高功率增益和良好线性性能，适用于无线通信基础设施、广播系统、工业加热设备以及测试与测量仪器等场景。 在无线通信系统中，PH2729-130M 常用于基站或中继器中的射频功率放大模块，支持如蜂窝网络（如4G LTE）、广播电台和专用通信系统的工作频段。其高增益和优良的热稳定性使其适合在需要高可靠性和稳定输出功率的环境中使用。 此外，该晶体管也可用于射频能量应用，如工业加热和等离子体生成设备中，作为高效的射频能量输出元件。在测试设备中，它可用于构建射频信号发生器或功率放大器模块，以满足实验室或生产环境中的测试需求。 总之，PH2729-130M 主要应用于需要高频率、中高功率输出和良好线性度的射频系统中，尤其适合通信和工业领域的关键射频放大任务。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR 130WPK 2.7-2.9GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | M/A-Com Technology Solutions |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PH2729-130M |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | - |
| 供应商器件封装 | - |
| 其它名称 | 1465-1197 |
| 功率-最大值 | 130W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | 9.73dB ~ 8.85dB |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | - |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 6 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 63V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 12.5A |
| 频率-跃迁 | - |
