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BFU690F,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFU690F,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU690F,115价格参考¥询价-¥询价。NXP SemiconductorsBFU690F,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 5.5V 100mA 18GHz 230mW Surface Mount 4-DFP。您可以下载BFU690F,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFU690F,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BFU690F,115 是一款高频硅锗碳化物(SiGe:C)射频双极性晶体管(RF BJT),主要用于高性能射频放大应用。该器件具有高增益、低噪声和优异的线性度,适用于工作频率高达数GHz的场景。 典型应用场景包括: 1. 无线通信基础设施:用于蜂窝基站中的低噪声放大器(LNA)和中等功率放大模块,支持GSM、UMTS、LTE及5G通信系统。 2. 微波与毫米波通信:适用于点对点无线回传链路、宽带固定无线接入等高频段传输系统。 3. 射频前端模块:在多载波和多标准无线电(MSR)系统中提供稳定的信号放大性能。 4. 测试与测量设备:用于矢量网络分析仪、信号发生器等精密仪器中的射频信号处理单元。 5. 雷达与传感器系统:适合汽车雷达、工业传感等需要高频率响应和可靠性的应用。 BFU690F,115采用SOT343封装,体积小、易于集成,适合高密度PCB布局,同时具备良好的热稳定性和可靠性。其优化的射频特性使其在高频、低功耗设计中表现优异,广泛应用于要求严苛的工业级和电信级设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN SOT343F-4射频双极晶体管 Single NPN 18GHz |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFU690F,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFU690F,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 90 @ 20mA,2V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25714 |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | 4-DFP |
| 其它名称 | 568-8455-1 |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 功率耗散 | 230 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz |
| 增益 | 15.5dB ~ 18.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 封装/箱体 | SOT-343F |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 5.5V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 90 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 5.5 V |
| 集电极连续电流 | 70 mA |
| 频率-跃迁 | 18GHz |