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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH6003A-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH6003A-TL-E价格参考。ON SemiconductorCPH6003A-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CPH6003A-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH6003A-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH6003A-TL-E是安森美(ON Semiconductor)推出的一款射频双极结型晶体管(RF BJT),主要用于高频信号放大和射频功率应用。该器件适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围内的无线通信系统,广泛应用于移动通信基站、无线基础设施、射频放大器模块以及工业、科学和医疗(ISM)频段设备中。 其典型应用场景包括蜂窝网络中的低噪声放大器(LNA)、驱动放大器及线性功率放大电路,尤其适合要求高增益、良好线性度和较低功耗的场合。由于具备优良的射频性能和可靠性,CPH6003A-TL-E也常用于射频收发器模块和无线传输设备中,支持GSM、CDMA、WCDMA、LTE等多种通信标准。 该器件采用小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局,有助于减小整体设备体积,提升系统集成度。同时,其稳定的温度特性和良好的互调性能,使其在恶劣工作环境下仍能保持可靠运行,满足通信设备长时间连续工作的需求。综上,CPH6003A-TL-E是一款适用于中等功率射频放大场景的高性能晶体管,特别适合现代无线通信系统中的关键射频电路设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN BIPO 12V 150MA CPH6两极晶体管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor CPH6003A-TL-E- |
数据手册 | |
产品型号 | CPH6003A-TL-E |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 50mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 6-CPH |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 2 V |
商标 | ON Semiconductor |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.8dB @ 1GHz |
增益 | 9dB |
增益带宽产品fT | 7 GHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
封装/箱体 | SC-74-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 800 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 150 mA |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
直流电流增益hFE最大值 | 180 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
系列 | CPH6003A |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
集电极—基极电压VCBO | 20 V |
频率-跃迁 | 7GHz |