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Datasheet下载- 型号： BFQ67W,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BFQ67W,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFQ67W,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFQ67W,115价格参考。NXP SemiconductorsBFQ67W,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 10V 50mA 8GHz 300mW Surface Mount SOT-323-3。您可以下载BFQ67W,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFQ67W,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BFQ67W,115 是一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频、低噪声的模拟信号放大场景。该器件适用于工作频率较高的无线通信系统，常见于UHF（特高频）和VHF（甚高频）频段应用。 典型应用场景包括：电视调谐器、FM收音机前端放大器、卫星接收设备、有线电视（CATV）基础设施以及各类宽带射频放大电路。BFQ67W,115具有良好的增益特性和较低的噪声系数，适合在小信号环境下提升接收灵敏度，确保信号清晰稳定。 此外，该晶体管常用于替代老式器件，在消费类电子和工业通信设备中实现高性能、高可靠性的射频信号处理。其SOT-23封装体积小巧，便于在空间受限的PCB板上布局，适合自动化贴片生产。 总之，BFQ67W,115广泛应用于需要低噪声、高增益射频放大的场合，尤其适用于广播接收和有线/无线通信前端模块。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 10V 20MA 8GHZ SOT323射频双极晶体管 NPN 10V 50mA 8GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFQ67W,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFQ67W,115 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 15mA，5V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-6202-2 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 8000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 10 V |
| 集电极连续电流 | 0.05 A |
| 零件号别名 | BFQ67W T/R |
| 频率 | 8000 MHz |
| 频率-跃迁 | 8GHz |
