Datasheet下载- 型号： HFA3096BZ
- 制造商： Intersil
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HFA3096BZ由Intersil设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HFA3096BZ价格参考。IntersilHFA3096BZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HFA3096BZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HFA3096BZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America Inc. 生产的型号为 HFA3096BZ 的双极射频晶体管（RF BJT）主要应用于高频、射频和无线通信领域。以下是其典型应用场景： 1. 射频放大器：HFA3096BZ 可用于设计射频功率放大器，适用于无线通信设备、基站、无线电收发器等场景。该器件具有高增益和低噪声特性，能够有效提升信号强度并减少失真。 2. 混频器与调制器：在射频信号处理中，该晶体管可用于构建混频器或调制解调器电路，实现频率转换或信号调制功能。它支持高频操作，适合复杂的无线通信协议。 3. 无线通信模块：HFA3096BZ 适用于短距离无线通信系统（如蓝牙、Wi-Fi 或 Zigbee），提供高效的信号放大和传输能力，确保数据传输的稳定性和可靠性。 4. 测试与测量设备：在频谱分析仪、信号发生器和其他射频测试仪器中，该晶体管可以作为核心元件，用于放大和处理高频信号，以满足精确测量的需求。 5. 卫星通信与雷达系统：由于其优异的射频性能，HFA3096BZ 还可应用于卫星通信终端和雷达系统的前端模块，提供强大的信号处理能力。 6. 工业与医疗设备：在需要高频信号处理的工业控制或医疗成像设备中，例如超声波设备，该晶体管可以实现高效的能量转换和信号增强。 总结来说，HFA3096BZ 是一款专为高性能射频应用设计的晶体管，广泛应用于通信、测试测量、工业自动化以及医疗电子等领域。其卓越的高频特性和稳定性使其成为许多射频电路的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC TRANSISTOR ARRAY UHF 16-SOIC两极晶体管 - BJT W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | Intersil |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Intersil HFA3096BZ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HFA3096BZ |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 10mA，2V / 20 @ 10mA，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | - |
| 发射极-基极电压VEBO | 5.5 V |
| 商标 | Intersil |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 3.5dB @ 1GHz |
| 增益 | - |
| 增益带宽产品fT | 8000 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-16 Narrow |
| 工厂包装数量 | 48 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 3 NPN + 2 PNP |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.065 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 48 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V，15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 65mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 at 10 mA at 2 V at NPN, 20 at 10 mA at 2 V at PNP |
| 系列 | HFA3096 |
| 配置 | Quint |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 8 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 12 V |
| 频率-跃迁 | 8GHz，5.5GHz |
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