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Datasheet下载- 型号： NE461M02-AZ
- 制造商： CEL
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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NE461M02-AZ产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE461M02-AZ由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE461M02-AZ价格参考。CELNE461M02-AZ封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 15V 250mA 2W Surface Mount SOT-89。您可以下载NE461M02-AZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE461M02-AZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 1GHZ SOT-89 M02射频双极晶体管 NPN Low Distort Amp |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | CEL |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NE461M02-AZ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NE461M02-AZ |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 50mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-89 |
| 其它名称 | 2SC5337-AZ |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | CEL |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | Mini-Mold |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 3 GHz |
| 最小工作温度 | + 25 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 250mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
| 类型 | Silicon Epitaxial Bipolar Transistor |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 250 mA |
| 频率 | 3 GHz |
| 频率-跃迁 | - |
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