【未分类_2SC5551AE-TD-E】封装/厂家_2SC5551AE-TD-E中文资料_价格

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型号： 2SC5551AE-TD-E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5551AE-TD-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5551AE-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SC5551AE-TD-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载2SC5551AE-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5551AE-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2SC5551AE-TD-E 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极性射频晶体管（BJT），其主要应用场景集中在高频和射频领域。以下是该型号的一些典型应用：

1. 射频放大器：  
   2SC5551AE-TD-E 适用于设计高性能射频放大器，尤其是在无线通信系统中。它能够提供高增益和低噪声性能，适合用于低噪声放大器（LNA）或功率放大器。

2. 无线通信设备：  
   在基站、移动通信设备和其他无线系统中，这款晶体管可以用于信号放大和处理。其高频特性使其非常适合工作在 VHF、UHF 或更高频率范围的应用。

3. 调制解调器与收发器：  
   该晶体管可用于设计调制解调器和收发器中的关键射频模块，例如上变频器、下变频器以及混频器电路。

4. 雷达系统：  
   在雷达应用中，2SC5551AE-TD-E 可以用作驱动级或输出级放大器，支持脉冲信号的生成和放大，从而提高系统的探测能力。

5. 测试与测量仪器：  
   射频测试设备（如频谱分析仪、信号发生器等）需要高性能的射频组件，这款晶体管可作为核心元件之一，提供稳定的高频性能。

6. 广播电视设备：  
   在广播发射机或电视信号传输设备中，该晶体管可用于信号增强和优化，确保高质量的音频和视频传输。

7. 卫星通信：  
   对于需要高效射频放大的卫星通信链路，2SC5551AE-TD-E 可以满足其对高频段工作的严格要求。

总结来说，2SC5551AE-TD-E 的主要优势在于其优异的射频性能，包括高增益、宽频带和低噪声特性，这使得它成为许多现代电子系统中不可或缺的一部分，特别是在需要处理高频信号的应用场景中表现突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
产品分类	RF 晶体管 (BJT)
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	2SC5551AE-TD-E
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	90 @ 50mA，5V
供应商器件封装	PCP
功率-最大值	1.3W
包装	带卷（TR）
噪声系数（dB，不同f时的典型值）	-
增益	-
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-243AA
晶体管类型	NPN
标准包装	1,000
电压-集射极击穿（最大值）	30V
电流-集电极(Ic)（最大值）	300mA
频率-跃迁	3.5GHz