NE856M02-T1-AZ产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NE856M02-T1-AZ由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE856M02-T1-AZ价格参考。CELNE856M02-T1-AZ封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W Surface Mount SOT-89。您可以下载NE856M02-T1-AZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE856M02-T1-AZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NE856M02-T1-AZ是由品牌CEL生产的射频双极晶体管（RF BJT），属于高性能硅锗碳（SiGeC）NPN型器件，主要应用于高频、低噪声的射频信号放大场景。该器件具有优异的增益、低噪声系数和良好的线性度，适合工作在GHz频段，典型应用频率可达数GHz，因此广泛用于无线通信系统中的射频前端模块。

其主要应用场景包括：  
1. 移动通信设备：如基站接收模块、小型蜂窝基站（Small Cell）中的低噪声放大器（LNA），提升信号接收灵敏度。  
2. 无线基础设施：用于微波通信、点对点无线电链路中的射频放大电路。  
3. 宽带通信系统：适用于支持多载波、宽频带传输的射频放大需求。  
4. 物联网（IoT）与工业无线系统：在需要高可靠性和稳定射频性能的远程通信模块中发挥关键作用。  
5. 测试仪器与射频模块：用于信号发生器、频谱分析仪等设备中的射频放大单元。

NE856M02-T1-AZ采用小型表面贴装封装（如SOT-343），便于高密度PCB布局，适合空间受限的应用。其稳定的温度特性和高可靠性，使其在严苛环境下的射频系统中表现优异。总体而言，该器件适用于对噪声性能和高频响应要求较高的现代射频电子系统。

NE856M02-T1-AZ产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NE856M02-T1-AZ由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE856M02-T1-AZ价格参考。RENESAS ELECTRONICSNE856M02-T1-AZ封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W Surface Mount SOT-89。您可以下载NE856M02-T1-AZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE856M02-T1-AZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NE856M02-T1-AZ是由品牌CEL生产的射频双极晶体管（RF BJT），属于高性能硅锗碳（SiGeC）NPN型器件，主要应用于高频、低噪声的射频信号放大场景。该器件具有优异的增益、低噪声系数和良好的线性度，适合工作在GHz频段，典型应用频率可达数GHz，因此广泛用于无线通信系统中的射频前端模块。

其主要应用场景包括：  
1. 移动通信设备：如基站接收模块、小型蜂窝基站（Small Cell）中的低噪声放大器（LNA），提升信号接收灵敏度。  
2. 无线基础设施：用于微波通信、点对点无线电链路中的射频放大电路。  
3. 宽带通信系统：适用于支持多载波、宽频带传输的射频放大需求。  
4. 物联网（IoT）与工业无线系统：在需要高可靠性和稳定射频性能的远程通信模块中发挥关键作用。  
5. 测试仪器与射频模块：用于信号发生器、频谱分析仪等设备中的射频放大单元。

NE856M02-T1-AZ采用小型表面贴装封装（如SOT-343），便于高密度PCB布局，适合空间受限的应用。其稳定的温度特性和高可靠性，使其在严苛环境下的射频系统中表现优异。总体而言，该器件适用于对噪声性能和高频响应要求较高的现代射频电子系统。