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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTH11由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTH11价格参考。Fairchild SemiconductorMMBTH11封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBTH11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBTH11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MMBTH11的晶体管,属于安森美半导体(ON Semiconductor)旗下的射频双极结型晶体管(BJT),广泛应用于射频(RF)和高频电子线路中。该器件采用小信号设计,适用于需要良好高频性能的场景。 MMBTH11的主要应用场景包括: 1. 射频放大器:用于无线通信系统中的低噪声放大器(LNA)或驱动放大器,支持高频信号的放大,适用于2.4GHz等常用无线频段。 2. 无线通信模块:如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等短距离无线通信模块中,作为射频信号的放大或混频元件。 3. 射频开关与混频器:在射频前端电路中,用于信号切换或频率转换功能,适用于射频收发系统。 4. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、无线耳机等设备中的射频控制与信号处理电路。 5. 工业与汽车电子:在远程控制、传感器通信、车载无线系统中提供稳定的射频信号处理能力。 MMBTH11具有良好的高频响应、低功耗和小型封装,适合高密度PCB布局,适用于便携式和高频设备的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR RF NPN SOT-23射频双极晶体管 NPN RF Transistor |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Fairchild Semiconductor MMBTH11- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBTH11 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 4mA,10V |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBTH11CT |
功率-最大值 | 225mW |
功率耗散 | 225 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 60 mg |
发射极-基极电压VEBO | 3 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | - |
增益 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大工作温度 | + 150 C |
最大工作频率 | 650 MHz |
最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
类型 | RF Bipolar Small Signal |
系列 | MMBTH11 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
集电极连续电流 | 0.05 A |
频率 | 650 MHz |
频率-跃迁 | 650MHz |