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Datasheet下载- 型号： MAPRST0912-50
- 制造商： M/A-COM
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MAPRST0912-50产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MAPRST0912-50由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MAPRST0912-50价格参考。M/A-COMMAPRST0912-50封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 65V 5.3A 50W Chassis Mount 。您可以下载MAPRST0912-50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MAPRST0912-50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
M/A-Com Technology Solutions（现为MACOM的一部分）的MAPRST0912-50是一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于射频功率放大应用。该晶体管适用于需要高效、高线性度放大的通信系统，尤其在无线基础设施、基站放大器、广播设备和工业射频系统中具有广泛应用。 具体应用场景包括： 1. 无线通信基站：用于蜂窝网络（如4G LTE、5G）中的射频功率放大器，提供高增益和高效率的信号放大，支持多载波和宽带信号传输。 2. 广播发射设备：应用于FM广播、电视广播等发射系统中，作为末级功率放大器，确保信号稳定高效输出。 3. 工业与测试设备：用于射频测试仪器、信号发生器和功率放大模块，提供可靠的射频能量输出，满足实验室和工业环境需求。 4. 军事与航空航天系统：因其高可靠性和稳定性，也可用于雷达、通信中继等军用设备中。 该晶体管具备高功率密度、良好热稳定性和宽频带特性，适合在高频（通常在数百MHz至GHz级）环境下工作，是高性能射频功率放大设计中的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 50W 960MHZ-1215MHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | M/A-Com Technology Solutions |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MAPRST0912-50 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | - |
| 供应商器件封装 | - |
| 其它名称 | 1465-1134 |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | 10.16dB ~ 10.25dB |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | - |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 6 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 65V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5.3A |
| 频率-跃迁 | - |
