Datasheet下载- 型号： MRF553G
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF553G由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF553G价格参考。American Microsemiconductor, Inc.MRF553G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF553G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF553G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下品牌）的MRF553G是一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要应用于射频功率放大领域。该器件常用于工作频率在VHF/UHF波段的通信系统中，典型应用场景包括： 1. 无线通信基站：作为射频功率放大器的核心元件，用于增强发射信号强度，适用于蜂窝通信、集群通信等系统。 2. 广播设备：用于调频（FM）广播或电视广播发射机中的射频功率放大级，提供高线性度和稳定输出。 3. 工业与军事通信设备：如专用无线电系统、战术通信设备等，在这些场景中要求高可靠性与良好温度稳定性。 4. 测试与测量仪器：用于射频信号发生器或功率放大模块中，作为测试高频电路性能的关键组件。 MRF553G具备较高的功率增益和良好的热稳定性，适合于连续波（CW）或调幅（AM）信号的放大，广泛应用于需要中等射频输出功率的设计中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 16V 500MA POWERMACRO |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF553G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 250mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 超大功率 |
| 其它名称 | MRF553GMI |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | 11dB ~ 13dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 超大功率 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 16V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 频率-跃迁 | - |
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