Datasheet下载- 型号： BFP840FESDH6327XTSA1
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFP840FESDH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFP840FESDH6327XTSA1价格参考￥1.61-￥2.99。InfineonBFP840FESDH6327XTSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFP840FESDH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFP840FESDH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BFP840FESDH6327XTSA1 是一款高性能射频双极结型晶体管（RF BJT），主要应用于高频、低噪声的无线通信系统。该器件基于先进的硅锗碳（SiGe:C）技术制造，具备优异的高频增益、低噪声系数和高线性度，适用于工作频率高达数GHz的场景。 典型应用场景包括： - 无线基础设施：用于蜂窝基站中的低噪声放大器（LNA）和射频前端模块，支持GSM、WCDMA、LTE及5G通信标准。 - 微波点对点通信：在高频段（如6 GHz以上）的传输设备中实现信号放大与处理。 - 卫星通信系统：凭借其稳定性和高频性能，适用于低功率射频放大环节。 - 宽带无线接入：如WiMAX等系统中的射频放大电路。 - 测试与测量设备：用于高频信号接收路径中的低噪声放大，提升系统灵敏度。 该器件采用SOT363小型化封装，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级温度范围。其高增益和低功耗特性使其在便携式或远程通信设备中也具有应用潜力。 总之，BFP840FESDH6327XTSA1 主要面向需要高性能射频放大的现代通信系统，尤其适用于高频、低噪声、小信号放大的关键电路设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 射频双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BFP840FESDH6327XTSA1 |
| 产品型号 | BFP840FESDH6327XTSA1 |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 功率耗散 | 75 mW |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.6 V |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | TSFP-4 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | SiGe |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 85 GHz |
| 类型 | RF Silicon Germanium |
| 系列 | BFP840 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 2.25 V |
| 集电极连续电流 | 35 mA |
| 零件号别名 | SP000977846 |
| 频率 | 85 GHz |
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